图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:484 |
|
最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
|
| 规格书 |
 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 88 A |
| 系列 | IPP110N20 |
| RDS（ON） | 10.7 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 功率耗散 | 300 W |
| 商品名 | OptiMOS |
| 封装/外壳 | TO-220-3 FP |
| 栅极电荷Qg | 65 nC |
| 典型关闭延迟时间 | 41 ns |
| 零件号别名 | IPP110N20NAAKSA1 SP000877672 |
| 上升时间 | 26 ns |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 11 ns |
| 工厂包装数量 | 500 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
| 宽度 | 4.4 mm |
| Qg - Gate Charge | 87 nC |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 88 A |
| 长度 | 10 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 9.9 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
| 身高 | 15.65 mm |
| 典型导通延迟时间 | 18 ns |
| Pd - Power Dissipation | 300 W |
| 技术 | Si |
IPP110N20NAXK相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家